Hersteller Produktnummer:
APTM10DAM02G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APTM10DAM02G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Inventar:
13257380
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APTM10DAM02G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
495A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 200A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
40000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1250W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SP6
Paket / Koffer
SP6
Basis-Produktnummer
APTM10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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