Hersteller Produktnummer:
APT50M80B2VRG
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT50M80B2VRG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 58A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventar:
13256792
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APT50M80B2VRG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS V®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
423 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8797 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT50M80B2VRG-ND
150-APT50M80B2VRG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFX78N50P3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFX78N50P3-DG
Einheitspreis
8.02
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