Hersteller Produktnummer:
APT10M11B2VFRG
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT10M11B2VFRG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
Inventar:
13256794
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Menge
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APT10M11B2VFRG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS V®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT10M11B2VFRG-ND
150-APT10M11B2VFRG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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