APT35SM70B
Hersteller Produktnummer:

APT35SM70B

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

APT35SM70B-DG

Beschreibung:

SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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13253326
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APT35SM70B Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1035 pF @ 700 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
176W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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