APT66M60B2
Hersteller Produktnummer:

APT66M60B2

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

APT66M60B2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

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APT66M60B2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13190 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1135W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
APT66M60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
APT66M60(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
APT66M60B2MI-ND
APT66M60B2MI

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
R6046FNZ1C9
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
278
TEILNUMMER
R6046FNZ1C9-DG
Einheitspreis
7.52
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Einheitspreis
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