Hersteller Produktnummer:
APT1002RBNG
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT1002RBNG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventar:
13249878
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APT1002RBNG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS IV®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
240W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD
Paket / Koffer
TO-247-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT1002RBNG-ND
150-APT1002RBNG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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