APT10035B2LLG
Hersteller Produktnummer:

APT10035B2LLG

Product Overview

Hersteller:

Microsemi Corporation

Teilenummer:

APT10035B2LLG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

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APT10035B2LLG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS 7®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5185 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
690W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
APT10035

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
APT10035(B2,L)LL High-Voltage Power Discretes and Modules

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
150-APT10035B2LLG
APT10035B2LLG-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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