Hersteller Produktnummer:
2N6796
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
2N6796-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
13247001
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Menge
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2N6796 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Paket / Koffer
TO-205AF Metal Can
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2N6796-ND
150-2N6796
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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