Hersteller Produktnummer:
APTC60DAM35T1G
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APTC60DAM35T1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventar:
13247119
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APTC60DAM35T1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 72A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 5.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
518 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
14000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
416W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SP1
Paket / Koffer
SP1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
APTC60DAM35T1G-ND
150-APTC60DAM35T1G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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