Hersteller Produktnummer:
TN5335K1-G
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
TN5335K1-G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Inventar:
4112 Stück Neu Original Auf Lager
12810184
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TN5335K1-G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
350 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110mA (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
110 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23 (TO-236AB)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
TN5335
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
PCN-Baugruppe/Ursprung
PCN-Design/Spezifikation
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TN5335K1-GTR
TN5335K1-GCT
TN5335K1-GDKR
TN5335K1-G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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