Hersteller Produktnummer:
IRF100P219XKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF100P219XKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12810231
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IRF100P219XKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
StrongIRFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
203A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 278µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12020 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
341W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IRF100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
SP001619552
IRF100P219
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF100P219AKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
383
TEILNUMMER
IRF100P219AKMA1-DG
Einheitspreis
3.56
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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