Hersteller Produktnummer:
MSC017SMA120B
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
MSC017SMA120B-DG
Beschreibung:
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 113A (Tc) 455W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
2 Stück Neu Original Auf Lager
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MSC017SMA120B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
113A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 4.5mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
249 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5280 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
455W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
MSC017SMA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
150-MSC017SMA120B
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MSC017SMA120B4
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
MSC017SMA120B4-DG
Einheitspreis
36.55
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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TRENCH >=100V PG-HSOG-8
