Hersteller Produktnummer:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPTG210N25NM3FDATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 7.7A (Ta), 77A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventar:
12958941
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IPTG210N25NM3FDATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 3
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.7A (Ta), 77A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 267µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7000 pF @ 125 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOG-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSMD, Gull Wing
Basis-Produktnummer
IPTG210N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,800
Andere Namen
SP005431198
448-IPTG210N25NM3FDATMA1CT
448-IPTG210N25NM3FDATMA1DKR
448-IPTG210N25NM3FDATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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