JANS2N5416S
Hersteller Produktnummer:

JANS2N5416S

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JANS2N5416S-DG

Beschreibung:

PNP TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 1 A 750 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventar:

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13262054
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JANS2N5416S Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/485
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
300 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Leistung - Max
750 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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