Hersteller Produktnummer:
JAN2N6352
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
JAN2N6352-DG
Beschreibung:
NPN TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 5 A 2 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventar:
13262075
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Menge
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JAN2N6352 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/472
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 5A, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66 (TO-213AA)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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