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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
APTM100DA18TG
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APTM100DA18TG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 43A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Inventar:
Angebot Anfrage Online
13252215
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APTM100DA18TG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
372 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
780W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SP4
Paket / Koffer
SP4
Basis-Produktnummer
APTM100
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
APTM100DA18TG
High-Voltage Power Discretes and Modules
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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