Hersteller Produktnummer:
APT94N65B2C6
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
APT94N65B2C6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventar:
13263686
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APT94N65B2C6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 35.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
320 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
833W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
APT94N65
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTH80N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTH80N65X2-DG
Einheitspreis
8.12
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