Hersteller Produktnummer:
APT28F60B
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT28F60B-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventar:
13263738
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APT28F60B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5575 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 [B]
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
APT28F60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
APT28F60BMI
150-APT28F60B
APT28F60BMI-ND
APT28F60B-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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