APT34N80B2C3G
Hersteller Produktnummer:

APT34N80B2C3G

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

APT34N80B2C3G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

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APT34N80B2C3G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4510 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer
TO-247-3 Variant
Basis-Produktnummer
APT34N80

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
APT34N80(B2,L)C3 High-Voltage Power Discretes and Modules

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30
Andere Namen
APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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