Hersteller Produktnummer:
APT17N80BC3G
Product Overview
Hersteller:
Microsemi Corporation
Teilenummer:
APT17N80BC3G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
13247758
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APT17N80BC3G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microsemi
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
150-APT17N80BC3G
APT17N80BC3G-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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