APT1001RBN
Hersteller Produktnummer:

APT1001RBN

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

APT1001RBN-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventar:

13257203
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APT1001RBN Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
-
Reihe
POWER MOS IV®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
310W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AD
Paket / Koffer
TO-247-3

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
30

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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