Hersteller Produktnummer:
2N5615
Product Overview
Hersteller:
Microchip Technology
Teilenummer:
2N5615-DG
Beschreibung:
POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 5 A 58 W Through Hole TO-204AD (TO-3)
Inventar:
12984858
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2N5615 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 500µA, 2.5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Leistung - Max
58 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-204AA, TO-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-204AD (TO-3)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
150-2N5615
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
JANTXV2N3724UB/TR
SMALL-SIGNAL BJT
JANSR2N7373
RH POWER BJT
JANSD2N5154U3
RH POWER BJT
