JANSR2N7373
Hersteller Produktnummer:

JANSR2N7373

Product Overview

Hersteller:

Microchip Technology

Teilenummer:

JANSR2N7373-DG

Beschreibung:

RH POWER BJT
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 5 A 4 W Through Hole TO-254AA

Inventar:

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12984866
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JANSR2N7373 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Microchip Technology
Verpackung
Bulk
Reihe
Military, MIL-PRF-19500/613
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max
4 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-254-3, TO-254AA
Gerätepaket für Lieferanten
TO-254AA

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
150-JANSR2N7373

Umwelt- und Exportklassifizierung

REACH-Status
REACH Unaffected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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