Hersteller Produktnummer:
VMO650-01F
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
VMO650-01F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 690A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
Inventar:
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VMO650-01F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Bulk
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
690A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
6V @ 130mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
59000 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2500W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Y3-DCB
Paket / Koffer
Y3-DCB
Basis-Produktnummer
VMO650
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2
Andere Namen
Q1434129
VMO650-01F-NDR
-VMO650-01F
VM0650-01F
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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