Hersteller Produktnummer:
SI2316BDS-T1-E3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SI2316BDS-T1-E3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
8289 Stück Neu Original Auf Lager
12914960
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SI2316BDS-T1-E3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
SI2316
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SI2316BDS-T1-E3-DG
SI2316BDST1E3
SI2316BDS-T1-E3CT
SI2316BDS-T1-E3TR
SI2316BDS-T1-E3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFS9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
IXFK20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO264AA
SI4172DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
