Hersteller Produktnummer:
IXTY1N80P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTY1N80P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12819623
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IXTY1N80P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD1NK80ZT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
232
TEILNUMMER
STD1NK80ZT4-DG
Einheitspreis
0.39
ERSATZART
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