Hersteller Produktnummer:
IXFB38N100Q2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFB38N100Q2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventar:
12819632
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Menge
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IXFB38N100Q2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™, Q2 Class
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
13500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PLUS264™
Paket / Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXFB38
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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