IXTY08N100D2
Hersteller Produktnummer:

IXTY08N100D2

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTY08N100D2-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

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IXTY08N100D2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Depletion
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
325 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY08

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXTY08N100D2
HTML-Datenblatt
IXTY08N100D2-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
70

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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