IRLD120PBF

Hersteller Produktnummer:

IRLD120PBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRLD120PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventar:

5261 Stück Neu Original Auf Lager

12911213

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IRLD120PBF Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tube

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

100 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

1.3A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

4V, 5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 780mA, 5V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

490 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

4-HVMDIP

Paket / Koffer

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Basis-Produktnummer

IRLD120

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

100

Andere Namen

*IRLD120PBF

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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