Hersteller Produktnummer:
IXTU1R4N60P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTU1R4N60P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
12818879
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IXTU1R4N60P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
PolarHV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251AA
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IXTU1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD1NK60-1
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
5751
TEILNUMMER
STD1NK60-1-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
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