Hersteller Produktnummer:
IXTP02N50D
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP02N50D-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
32 Stück Neu Original Auf Lager
12818881
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTP02N50D Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Depletion
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 25µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
120 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP02
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-IXTP02N50D
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXFR24N90P
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
IXTY2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
IXTQ180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO3P
