Hersteller Produktnummer:
IXTU08N100P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTU08N100P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventar:
12819784
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Menge
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IXTU08N100P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251AA
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
IXTU08
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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