Hersteller Produktnummer:
IXFR21N100Q
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFR21N100Q-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 18A (Tc) 350W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819785
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IXFR21N100Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™, Q Class
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFR21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFR32N100Q3
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
30
TEILNUMMER
IXFR32N100Q3-DG
Einheitspreis
31.33
ERSATZART
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