Hersteller Produktnummer:
IXTQ82N25P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTQ82N25P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
5 Stück Neu Original Auf Lager
12821577
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IXTQ82N25P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Polar
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ82
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW52NK25Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
444
TEILNUMMER
STW52NK25Z-DG
Einheitspreis
3.37
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