Hersteller Produktnummer:
IXTY5N50P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTY5N50P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 4.8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12821583
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IXTY5N50P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
PolarHV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IXTY5
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFR825TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
52779
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IRFR825TRPBF-DG
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