Hersteller Produktnummer:
IXTP86N20T
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP86N20T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 86A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
49 Stück Neu Original Auf Lager
12819450
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IXTP86N20T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Trench
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
480W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP86
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB4227PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3925
TEILNUMMER
IRFB4227PBF-DG
Einheitspreis
1.43
ERSATZART
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