Hersteller Produktnummer:
IXFR12N100
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFR12N100-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819452
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Menge
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IXFR12N100 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ISOPLUS247™
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXFR12
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
IXFR12N100-NDR
Q1157068A
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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