Hersteller Produktnummer:
IXTP64N10L2
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTP64N10L2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 64A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
397 Stück Neu Original Auf Lager
13271126
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXTP64N10L2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Linear L2™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3620 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
357W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP64
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
238-IXTP64N10L2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IXTA230N075T2-TRL
MOSFET N-CH 75V 230A TO263
TK099V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
IXTY08N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252