Hersteller Produktnummer:
TK099V65Z,LQ
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK099V65Z,LQ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Surface Mount 5-DFN (8x8)
Inventar:
14824 Stück Neu Original Auf Lager
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TK099V65Z,LQ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
DTMOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1.27mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2780 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (8x8)
Paket / Koffer
4-VSFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
TK099V65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
264-TK099V65ZLQTR
264-TK099V65ZLQDKR
264-TK099V65ZLQCT
TK099V65Z,LQ(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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