IXTP110N055T
Hersteller Produktnummer:

IXTP110N055T

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXTP110N055T-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

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IXTP110N055T Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
Trench
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
230W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP110

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXTP110N055T
HTML-Datenblatt
IXTP110N055T-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DMTH6005LCT
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMTH6005LCT-DG
Einheitspreis
0.95
ERSATZART
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DMT6010SCT
HERSTELLER
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certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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