Hersteller Produktnummer:
IRFB3307PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB3307PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
491 Stück Neu Original Auf Lager
12818395
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFB3307PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5150 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFB3307
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
2156-IRFB3307PBF
IRFB3307PBF-DG
448-IRFB3307PBF
*IRFB3307PBF
SP001555972
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPI120N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
IRFB4215
MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
