Hersteller Produktnummer:
IXTI10N60P
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTI10N60P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12821860
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IXTI10N60P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
PolarHV™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1610 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IXTI10
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB10N60M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STB10N60M2-DG
Einheitspreis
0.75
ERSATZART
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