Hersteller Produktnummer:
STB10N60M2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB10N60M2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12878240
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STB10N60M2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ II Plus
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-14528-1-DG
497-14528-6
497-14528-2-DG
497-STB10N60M2TR
497-14528-2
497-14528-1
497-STB10N60M2DKR
-497-14528-2
-497-14528-1
497-14528-6-DG
-497-14528-6
497-STB10N60M2CT
STB10N60M2-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
R6007KNJTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
17
TEILNUMMER
R6007KNJTL-DG
Einheitspreis
0.74
ERSATZART
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Teilenummer
IXFA14N60P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
50
TEILNUMMER
IXFA14N60P-DG
Einheitspreis
2.25
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