Hersteller Produktnummer:
IXTH64N65X
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTH64N65X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12821646
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IXTH64N65X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Ultra X
Produktstatus
Last Time Buy
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH64
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
-IXTH64N65X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPW60R060P7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
60
TEILNUMMER
IPW60R060P7XKSA1-DG
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