Hersteller Produktnummer:
FCH47N60N
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCH47N60N-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 368W (Tc) Through Hole TO-247
Inventar:
1235 Stück Neu Original Auf Lager
12946087
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FCH47N60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SupreMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 23.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6700 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
368W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247
Paket / Koffer
TO-247-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
35
Andere Namen
ONSFSCFCH47N60N
2156-FCH47N60N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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