Hersteller Produktnummer:
IXTH2N150
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTH2N150-DG
Beschreibung:
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1500 V 2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12966526
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Menge
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IXTH2N150 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.2Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
830 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH2
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
238-IXTH2N150
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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