Hersteller Produktnummer:
DMTH8001STLWQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMTH8001STLWQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 270A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8
Inventar:
3083 Stück Neu Original Auf Lager
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DMTH8001STLWQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
270A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8894 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
POWERDI1012-8
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
31-DMTH8001STLWQ-13CT
31-DMTH8001STLWQ-13DKR
31-DMTH8001STLWQ-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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