Hersteller Produktnummer:
IXTA160N10T7
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXTA160N10T7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 430W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA)
Inventar:
12819484
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Menge
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IXTA160N10T7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
Trench
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
430W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7 (IXTA)
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
IXTA160
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB039N10N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
29647
TEILNUMMER
IPB039N10N3GATMA1-DG
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1.22
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