IXFP22N65X2M
Hersteller Produktnummer:

IXFP22N65X2M

Product Overview

Hersteller:

IXYS

Teilenummer:

IXFP22N65X2M-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventar:

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IXFP22N65X2M Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
Tube
Reihe
HiPerFET™, Ultra X2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2190 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
IXFP22

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IXFP22N65X2M
HTML-Datenblatt
IXFP22N65X2M-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
R6024ENX
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
464
TEILNUMMER
R6024ENX-DG
Einheitspreis
1.57
ERSATZART
Direct
Teilenummer
STF20N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
303
TEILNUMMER
STF20N65M5-DG
Einheitspreis
1.35
ERSATZART
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Teilenummer
IPA60R170CFD7XKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
255
TEILNUMMER
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
Einheitspreis
1.29
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Einheitspreis
1.44
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Einheitspreis
0.69
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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