Hersteller Produktnummer:
IXFN24N100F
Product Overview
Hersteller:
IXYS
Teilenummer:
IXFN24N100F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12808662
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IXFN24N100F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Littelfuse
Verpackung
-
Reihe
HiPerRF™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-227B
Paket / Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN24
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
CPC3730CTR
MOSFET N-CH 350V SOT89
TN2510N8-G
MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
IRL60SL216
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
